[비즈니스포스트] 삼성전자의 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 원가가 SK하이닉스보다 30% 더 높을 것이란 일본 증권사 전망이 나왔다.

이에 따라 HBM4 원가 절감에 성공한 SK하이닉스가 내년에도 선두를 공고히 할 것이란 관측이 나온다.
 
25일 일본 증권사 노무라는 보고서를 통해 삼성전자의 HBM4가 원가 경쟁력에서 SK하이닉스에 밀릴 것으로 분석했다.

노무라 측은 “삼성전자의 HBM4 원가는 SK하이닉스보다 약 30% 높을 것으로 예상된다”며 “SK하이닉스는 2026년에도 HBM 영업이익률 59%대를 유지할 수 있을 것”이라고 전망했다.

이같은 두 회사의 HBM4 원가 차이 배경에는 삼성전자의 1c D램 기술이 관련된 것으로 보인다. 삼성전자는 HBM 기술력 우위를 가져가기 위해 SK하이닉스보다 한 세대 더 앞선 D램 공정인 1c D램으로 HBM4를 제작하고 있기 때문이다.

첨단 D램 공정은 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대) 순으로 개발됐는데, 세대를 거듭할수록 선폭이 미세해져 성능과 전력 소비 효율이 높아진다. SK하이닉스와 마이크론은 1b 공정으로 HBM4를 만든다.

삼성전자는 HBM4 개발 도중 수율(완성품 비율)과 성능 향상을 위해 1c D램 기술의 완전 재설계에 나섰으며, 파운드리(반도체 위탁생산) 인력도 메모리 사업부로 배치했던 것으로 전해졌다. 현재 삼성전자의 1c D램의 테스트 수율(정상품 비율)은 양산성이 확보된 65%에 달한 것으로 전해졌다.

다만 일각에서는 삼성전자 반도체의 역량을 집중한 투자와 앞선 기술 적용은 원가 상승의 원인이 됐을 것이란 관측을 내놓고 있다. 노무라는 이를 30% 수준의 원가 경쟁력 차이로 분석했다.

이에 비해 SK하이닉스는 업계 예상보다 빠르게 HBM4 원가 절감에 성공한 것으로 보인다. 

노무라 측은 “SK하이닉스의 예상보다 빠른 원가 절감으로 내년 HBM 평균판매가격(ASP)이 7% 하락함에도, 내년 HBM 수익성은 초기 예상치보다 소폭 감소하는 데 그칠 것”이라고 전망했다. 김호현 기자